匀胶旋涂仪主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上匀胶等工艺与光刻、烘烤等设备配合使用。匀胶旋涂仪价格实惠，操作简单，结构小巧紧凑，占地空间小，为实验室提供了理想的解决方案。能够较大限度的保证旋涂均匀；可对大小不同规格的基片进行旋涂。
 

　　匀胶旋涂仪通过在片托上产生负压，将需要旋涂的基底材料吸附在片托上,胶液滴注在基底材料的表面,通过准确调节电机的旋转速度,以此来改变离心力大小，同时通过滴胶装置控制胶液的流量,来达到制备薄膜所需的厚度,另外薄膜厚度也取决于旋涂时间，胶液的粘度,余覆的温度和湿度等环境因素。
 

　　滴胶这一步把光刻胶滴注到基片表面上，高速旋转把光刻胶铺展到基片上形成簿层，干燥这一步除去胶层中多余的溶剂。两种常用的滴胶方式是静态滴胶和动态滴胶。
 

 

　　静态滴胶就是简单地把光刻胶滴注到静止的基片表面的中心，滴胶量为1-10ml不等。滴胶的多少应根据光刻胶的粘度和基片的大小来确定。粘度比较高或基片比较大，往往需要滴较多的胶，以保证在高速旋转阶段整个基片上都涂到胶。
 

　　动态滴胶方式是在基片低速(通常在500转/分左右)旋转的同时进行滴胶，“动态”的作用是让光刻胶容易在基片上铺展开，减少光刻胶的浪费，采用动态滴胶不需要很多光刻胶就能润湿(铺展覆盖)整个基片表面。尤其是当光刻胶或基片本身润湿性不好的情况下，动态滴胶尤其适用，不会产生针孔。滴胶之后，下一步是高速旋转。使光刻胶层变薄达到要求的膜厚，这个阶段的转速一般在1500-6000转/分，转速的选定同样要看光刻胶的性能(包括粘度，溶剂挥发速度，固体含量以及表面张力等)以及基片的大小。快速旋转的时间可以从10秒到几分钟。匀胶的转速以及匀胶时间往往能决定胶膜的厚度。
 

　　匀胶旋涂仪旋转速度的快慢和控制精度直接关系到旋涂层的厚度控制和膜层均匀性。如果标示的转速和电机的实际转速如果误差很大，对于要求精密涂覆的科研人员来说是无法获得准确的实验数据的。匀胶旋涂仪的真空泵一定要选用无油的，压力标定准确，因为任何的油污都可能堵塞真空管道，如果真空吸附力降低，会导致基片吸附不住而产生“飞片”的情况，还会让滴胶液不慎进入真空管道系统造成堵塞。